晶圓片晶錠壽命檢測儀

Mono- and Multi-crystalline wafer and brick lifetime measurement device

應用範圍╃✘│：用於常規質量控制₪↟↟│☁、精密材料研發的單晶和多晶片及晶錠的壽命測量

根據SEMI標準PV9-1110的非接觸式和無損成像(μPCD / MDP(QSS))₪↟↟│☁、光電導性₪↟↟│☁、電阻率和p/n檢查╃│▩₪。

晶圓切割◕▩◕••，爐內監控◕▩◕••，材料最佳化等╃│▩₪。


日常壽命測量◕▩◕••，質量控制和檢驗
 
◆產量╃✘│：>240塊/天或>720片/天
◆測量速度╃✘│：對於156x156x400mm標準晶錠◕▩◕••，<4分鐘
◆生產改善╃✘│：1mm切割標準為156x156x400mm標準晶錠
◆質量控制╃✘│：用於過程和材料的質量監控◕▩◕••，如單晶矽或多晶矽
◆汙染測定╃✘│：起源於爐和裝置的金屬(Fe)
◆可靠性╃✘│：模組化和堅固耐用的工業儀器◕▩◕••，更高的可靠性和執行時間> 99%
◆可重複性:> 99.5%
◆電阻率╃✘│：不需要經常校準

精密材料研發

鐵濃度測定

陷阱濃度測定

硼氧測定

依賴於注入的測量等

特性

*無觸點無破壞的半導體特性
特殊的“表面之下”壽命測量技術
不可見缺陷的 靈敏度的視覺化
自動切割標準定義
空間分辨p/n電導型變換檢測